Termiskā lauka grafīta detaļas

Termiskā lauka grafīta detaļas veido epitaksiālo reaktoru termiskās vides pamatarhitektūru, kur temperatūras konsekvence tieši nosaka kristāla kvalitāti, leģēšanas precizitāti un defektu blīvumu. Si un SiC epitaksijā, kur darba temperatūra var pārsniegt 1600 °C, mūsu izostatiskie grafīta sildītāji, susceptori, reflektori un izolācijas vairogi rada stabilu un simetrisku termisko lauku, kas ir būtisks vienmērīgai plēves augšanai.

Šīs sastāvdaļas tiek ražotas, izmantojot īpaši augstas tīrības pakāpes grafītu ar ārkārtīgi zemu metālu piesārņojumu, lai nodrošinātu minimālu daļiņu veidošanos un optimālu vienmērīgumu starp vafeļu malām un no centra līdz malai. Apvienojumā ar uzlabotiem SiC pārklājumiem, kas izstrādāti izturībai pret H₂, Cl₂, NH₃ un ogļūdeņražu prekursoriem, Semixlab grafīta detaļas saglabā strukturālo integritāti un termisko efektivitāti ilgstošos, augstas temperatūras ciklos, ievērojami pagarinot vidējo laiku starp apkopēm gan horizontālās, gan vertikālās epitaksijas sistēmās.

Papildus epitaksijai, termiskā lauka grafīta komponentiem ir izšķiroša loma augstas temperatūras atkvēlināšanā platjoslas ierīcēm, jo ​​īpaši SiC MOSFET. Šiem pielietojumiem ir nepieciešama stabilitāte temperatūrā, kas tuvojas 1700–1800 °C inertā vai vakuuma atmosfērā. Semixlab izstrādātie grafīta sildītāji, susceptoru paplātes un izolācijas cilindri nodrošina vienmērīgu termisko iedarbību uz plāksni piemaisījumu aktivācijas, omiskā kontakta veidošanās un defektu labošanas laikā. Mūsu komponenti mazina termiskos gradientus, kas citādi varētu izraisīt plāksnītes izliekumu, slīdēšanas līnijas vai kristālisku spriegumu, kas viss negatīvi ietekmē ierīces veiktspēju un ražību. Semixlab risinājumu radītais optimizētais termiskais lauks uzlabo piemaisījumu aktivācijas efektivitāti un samazina termisko šoku, nodrošinot atkārtojamus un stingri kontrolētus augstas temperatūras procesus.

Čohraļska monokristāla krāsns termiskais lauks

RTP un RTA sistēmās, kur pusvadītāju plāksnēm jāveic ātri sildīšanas un dzesēšanas cikli simtiem grādu sekundē, precīzi termiskā lauka komponenti ir tikpat svarīgi. Lai gan RTP galvenokārt izmanto uz lampām balstītu sildīšanu, iekšējā termiskā arhitektūra, kas bieži sastāv no pirolītiskiem grafīta reflektoriem, zema gāzu izdalīšanās grafīta balstiem un konstruētām ekranēšanas komponentēm, nosaka, kā starojuma enerģija sasniedz plāksni.

Semixlab grafīta detaļas ir izstrādātas, lai stabilizētu starojuma siltuma sadalījumu, nomāktu malu-karsto punktu efektus un atbalstītu īpaši ātras termiskās pārejas bez deformācijas vai gāzu izdalīšanās. Tas nodrošina procesa vienmērīgumu kritiskos posmos, piemēram, piemaisījumu aktivizēšanā, silicīda veidošanā, īpaši seklu savienojumu atkvēlināšanā, vārtu kaudzes optimizācijā un deformācijas inženierijas apstrādēs progresīvos CMOS mezglos.

Visos šajos augstas temperatūras procesos katra Semixlab termiskā lauka grafīta detaļa ir izstrādāta, lai optimizētu siltuma plūsmu, samazinātu temperatūras gradientus un droši darbotos atkārtota termiskā trieciena, korozīvu ķīmisku vielu un īpaši tīras vakuuma vides apstākļos. Mūsu integrētā kvalitātes sistēma nodrošina izmēru precizitāti, virsmas tīrību un pārklājuma adhēzijas konsistenci, kas atbilst vai pārsniedz vadošo pusvadītāju iekārtu ražotāju prasības. Semixlab patiesi cer kļūt par jūsu ilgtermiņa partneri Ķīnā.